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[实用新型]粉末棒沉积设备-CN201921442847.X有效
发明人：钱宜刚;吴椿烽;沈一春;薛驰;薛济萍 -专利权人：中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本实用新型提供一种粉末棒沉积设备，包括喷灯、沉积室、靶棒及吊杆，所述靶棒的一端连接于所述吊杆端部，所述靶棒伸入所述沉积室，所述喷灯喷射反应气流沉积粉末附着于靶棒上，所述沉积室连通于上部沉积腔体，所述上部沉积腔体包括同轴设置的上部沉积腔体内层和上部沉积腔体外层及盖设在远离沉积室的端部的上部沉积腔体端盖，其中上部沉积腔体内层用以容纳粉末棒上提空间，上部沉积腔体外层用于外部气体的灌入。本实用新型设计将上部腔体分为内外两层，有效将粉末棒容纳空间和气体进入腔体分离，避免随着粉末棒增加，容纳空间变小，造成沉积腔体中的气流紊乱，粉末棒的棒径产生波动。
粉末沉积设备

[发明专利]薄膜沉积方法-CN201110197889.3有效
发明人：孟令款 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：对第一沉积腔体热机；对第二沉积腔体热机；对第一沉积腔体预处理，在第一沉积腔体内沉积薄膜，对第一沉积腔体清洗(Clean)、后处理并退出晶片；对第二沉积腔体预处理，在第二沉积腔体内沉积薄膜，对第二沉积腔体清洗(Clean)、后处理并退出晶片；其特征在于，对第二沉积腔体热机的步骤与对第一沉积腔体热机的步骤之间具有一定的时间间隔。依照本发明的稳定薄膜厚度的方法，能良好解决沉积过程中每批次产品的第一对晶片上薄膜厚度变薄或者变厚的问题。
薄膜沉积方法

[实用新型]制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具-CN03201339.6无效
发明人：林辉巨 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具，是由分别独立的一化学气相沉积腔体、一物理气相沉积腔体、至少一加载互锁真空腔体以及连接上述各腔体的一转移腔体结合而成，其配置由转移腔体连接各个腔体与加载互锁真空腔体，当基板进入加载互锁真空腔体中后，会经由转移腔体进入化学气相沉积腔体，以进行沉积制程，待缓冲层沉积完毕后，基板会再由转移腔体进入物理气相沉积腔体进行沉积制程，以形成非晶硅薄膜，再经由转移腔体输送至加载互锁真空腔体中
制造低温多晶晶体管组合设备工具

[发明专利]一种掺硼金刚石薄膜制备方法-CN202010380094.5有效
发明人：玄真武;张怡 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：在沉积腔体内CVD金刚石沉积条件满足沉积要求后，将沉积腔体内用于盛装单质硼的坩埚加热至使单质硼发生升华的升华调控温度；然后根据所述升华调控温度、沉积腔体内硼的蒸气压之间的第一对应关系及沉积腔体内硼的蒸气压与沉积腔体内硼浓度的第二对应关系确定所述升华调控温度与沉积腔体内硼浓度的第三对应关系，进而通过调节所述升华调控温度实现沉积腔体内掺杂硼浓度的调节，实现沉积腔体内CVD金刚石沉积条件不变的情况下，通过单独升华调控温度实现控制硼源的掺杂浓度，保证沉积及掺杂效果佳，而且控制简单，操作安全、方便
一种金刚石薄膜制备方法

[发明专利]可拆式粉末原子层沉积装置的自动化机台-CN202110455649.2在审
发明人：林俊成;张容华 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种可拆式粉末原子层沉积装置的自动化机台，主要包括一原子层沉积作业区、一可拆式粉末原子层沉积装置、一真空腔体放置区及一输送装置，其中可拆式粉末原子层沉积装置的真空腔体可相对于轴封装置拆卸或连接输送装置可将真空腔体由真空腔体放置区输送至原子层沉积作业区，并将真空腔体固定在轴封装置上，以对真空腔体内的粉末进行原子层沉积。完成沉积的真空腔体可由轴封装置卸下，并通过输送装置将真空腔体输送至真空腔体放置区，以进行自动化粉末的原子层沉积制程。
可拆式粉末原子沉积装置自动化机台

[实用新型]可拆式粉末原子层沉积装置的自动化机台-CN202120874304.6有效
发明人：林俊成;张容华 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可拆式粉末原子层沉积装置的自动化机台，主要包括一原子层沉积作业区、一可拆式粉末原子层沉积装置、一真空腔体放置区及一输送装置，其中可拆式粉末原子层沉积装置的真空腔体可相对于轴封装置拆卸或连接输送装置可将真空腔体由真空腔体放置区输送至原子层沉积作业区，并将真空腔体固定在轴封装置上，以对真空腔体内的粉末进行原子层沉积。完成沉积的真空腔体可由轴封装置卸下，并通过输送装置将真空腔体输送至真空腔体放置区，以进行自动化粉末的原子层沉积制程。
可拆式粉末原子沉积装置自动化机台

[实用新型]沉积炉衬底固定治具-CN202321686277.5有效
发明人：姜耀天;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于化学气相沉积设备技术领域，公开了沉积炉衬底固定治具。沉积炉衬底固定治具包括沉积腔体和至少一个固定线组，沉积腔体用于容置待沉积的衬底，沉积腔体内流通有沉积气流，沉积腔体上设置有至少一组贯穿孔，一组贯穿孔包括四个贯穿孔，每两个贯穿孔相对设置于沉积腔体的相对两侧一个固定线组包括两根固定线，固定线能够穿过沉积腔体上相对的两个贯穿孔并能够锁定于沉积腔体上，衬底的外周面上设置有两个固定槽，两根固定线分别限位于两个固定槽内以对衬底进行夹持固定。该沉积炉衬底固定治具不与衬底两侧的沉积位置相接触，且不影响衬底两侧的沉积气流的流通。
沉积炉衬固定

[发明专利]一种OVD工艺可调节沉积系统及其调节方法-CN202110313967.5有效
发明人：李亚明 -专利权人：藤仓烽火光电材料科技有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及光纤预制棒制造技术领域，具体涉及一种OVD工艺可调节沉积系统及其调节方法，该系统包括两组腔体板组件、沉积量监测装置和控制装置。其中，两组所述腔体板组件形成带有进气侧和出气侧且用于沉积光纤预制棒的腔体，每组所述腔体板组件包括至少两块转动连接的腔体板，且所述腔体板可随着所述光纤预制棒的沉积调整角度；沉积量监测装置用于监测所述光纤预制棒的沉积量；控制装置用于根据获取的沉积量调整所述腔体板的角度以调节腔体的剩余空间。本方案能够解决现有技术中在沉积初期需要投入更多的反应气体、原料，以及在导致整个周期内沉积质量不一致的问题。
一种 ovd 工艺调节沉积系统及其方法

[发明专利]一种OVD工艺沉积光纤预制棒的设备-CN201611192936.4有效
发明人：王忠太;杨轶;顾立新 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本发明涉及一种OVD工艺沉积光纤预制棒的设备，包括有沉积腔体，在沉积腔体的一侧竖直安设有一排等距间隔的喷灯，喷灯与进风导流腔相连，在沉积腔体的中部上下侧对应安设上、下旋转夹头，沉积腔体的另一侧为出风口，其特征在于在在沉积腔体的中部上下侧安设有上下往复移动台，上下往复移动台上安设有水平移动座，所述的上、下旋转夹头与水平移动座相连接。本发明使刻蚀粉棒的沉积更为均匀；喷灯在喷射时静止不动使沉积腔体内火焰和气流状态保持稳定，有利于预制棒沉积精度和质量的提高；可使沉积达到较好的热涌效应；维持沉积腔体内部的稳定平流风，火焰与腔体内的平流风方向一致，可以使火焰维持较好的形状，不易发散，有利于沉积效率的提高。
一种 ovd 工艺沉积光纤预制设备

[发明专利]一种雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法-CN202310552762.1在审
发明人：母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法，所述雾化气相沉积装置包括沉积腔体；所述沉积腔体的底部设置有托盘，所述托盘的顶面位于所述沉积腔体的内腔中；所述沉积腔体的外侧壁设置有激光引入窗，所述激光引入窗远离所述沉积腔体的一侧设置有激光光源；所述沉积腔体开设有雾相入口和排气口，所述沉积腔体通过所述雾相入口连接有雾化装置；所述雾化装置包括雾化腔和用于盛放超声介质的底座，所述底座的底端设置有超声件。本发明引入激光光源为沉积反应过程提供能量，能实现无损伤或低损伤的低温化学气相沉积；同时，超声件直接接触超声介质，能够避免原料液对超声件的腐蚀，延长其使用寿命。
一种雾化沉积装置方法

[发明专利]沉积镀膜模块以及沉积镀膜生产线-CN202310258035.4在审
发明人：余仲;陈麒麟;谭晓华 -专利权人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种沉积镀膜模块以及沉积镀膜生产线，沉积镀膜模块用于在基体上沉积非晶硅薄膜或者微晶硅薄膜，其包括依次设置的多个HWCVD工艺腔体，每相邻两个HWCVD工艺腔体之间均设置有降温腔体；其中，沉积镀膜模块在基体上沉积非晶硅薄膜或者微晶硅薄膜的过程中，基体从上游至下游交替地进入HWCVD工艺腔体和降温腔体，基体在每个HWCVD工艺腔体中的加热时间在预设时间范围内，以使基体的温度在整个沉积镀膜过程中不超过预设温度。本发明的沉积镀膜模块以及沉积镀膜生产线可以降低基体在每个HWCVD工艺腔体内的沉积时间，避免基体受热丝辐射超温，影响转化效率。
沉积镀膜模块以及生产线

[发明专利]真空镀膜设备-CN200910241702.8无效
发明人：姚立强 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空镀膜设备，包括真空腔体(22)和用于控制真空腔体(22)内部压力的压力调节部件(24)，所述真空腔体(22)和所述压力调节部件(24)之间连接有沉积装置(27)，所述沉积装置(27)包括沉积腔体(271)和位于所述沉积腔体(271)内的阻隔部件，所述阻隔部件与所述沉积腔体(271)的侧壁形成弯曲的气流通道。本发明所提供的真空镀膜设备能够在有效地减少沉积物颗粒沉积于压力调节部(24)件及其连接管路上的基础上，降低沉积装置的清理和维护难度。
真空镀膜设备

[发明专利]化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置-CN201810694374.6有效
发明人：杨泰生;刘海林;霍艳丽;陈玉峰;唐婕;胡利明 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明是关于一种化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置，涉及碳化硅涂层制备技术领域。主要采用的技术方案为：化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置包括：腔体、支撑环、扰流体以及支撑部件；腔体的顶部设置有进气装置，腔体的底部设置有出气装置；支撑环的外侧壁与腔体的内壁连接，将腔体分割成中部连通的上腔体和下腔体；扰流体的一端设置在支撑环上，并沿支撑环到腔体顶部的方向设置，扰流体的数量大于等于三个；支撑部件设置在腔体的底部，用于支撑待沉积涂层的样品，并使样品位于下腔体中。本发明提供的化学气相沉积制备全沉积碳化硅涂层的装置，能够在样品表面获得全沉积的碳化硅涂层。
碳化硅涂层腔体化学气相沉积沉积支撑环制备扰流体支撑部件下腔体制备技术领域沉积涂层出气装置顶部设置方向设置进气装置内壁连接腔体顶部腔体分割样品表面一端设置上腔体外侧壁连通支撑

[实用新型]光纤预制棒芯棒沉积装置-CN201821031240.8有效
发明人：安东铉;金周成 -专利权人：阿隆株式会社
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本实用新型是有关新型光纤预制棒芯棒沉积装置，包括：沉积腔体，腔体门；锁紧铰链，可开关也可固定腔体门与所述沉积腔体的侧面部位；锁紧装置部，固定所述铰链另一侧门的前面部位，在关门时进行固定的同时增加门与沉积腔体的贴紧度；传感器固定装置部，固定在所述沉积腔体的下方，在打开门时进行旋转从而防止与腔体门产生干扰。
沉积腔体腔体门沉积装置铰链传感器固定装置本实用新型光纤预制棒锁紧装置新型光纤预制棒芯固定的可固定可开关锁紧贴紧芯棒关门侧面

[实用新型]一种VAD反应腔体内环境气流的控制装置-CN201520910939.1有效
发明人：沈小平;满小忠;向德成;钱昆;陈坤;徐震玥;沈国峰 -专利权人：江苏通鼎光棒有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种VAD反应腔体内环境气流的控制装置，包括沉积腔体、包灯、芯灯、伸入沉积腔体的引杆、以及沉积腔体内带有过孔的隔板、以及与外部包层沉积腔抽风系统连接的上抽风口、以及与外部芯层沉积腔抽风系统连接的下抽风口、以及沉积腔体内穿过隔板过孔的靶棒；靶棒通过引杆实现升降和旋转；隔板将沉积腔体分隔成上部的包层沉积腔和下部的芯层沉积腔；包灯和上抽风口对应处于包层沉积腔内的靶棒部分设置；芯灯和下抽风口对应处于芯层沉积腔内的靶棒部分设置本实用新型能够减少甚至隔离芯层和包层火焰之间的相互干扰，实现芯层和包层独立沉积，芯层沉积腔和包层沉积腔各自抽风的独立也使得沉积环境气流得到更有效的控制。
一种 vad 反应体内环境气流控制装置

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